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白井 稔三; Sugar, J.*; Wiese, W. L.*
JAERI-Data/Code 97-030, 63 Pages, 1997/07
高電離クリプトン、Kr V-Kr XXXVIの870本のスペクトル線をエネルギー準位と遷移の特徴を視覚化するグロトリアン図にまとめた。Bashkin and Stoner[North-Holland,Amsterdam,1975]による通常のグロトリアン図の表示方法では、それぞれの遷移を表す線の密度が高くなり過ぎ、全ての遷移を表示できないことがしばしばある。我々のグロトリアン図でも遷移を線で表すが、しかし、遷移の下位順位を必要なだけ繰り返す方法に変更した。その結果、遷移線の高密度化が回避でき、多重項等全ての遷移を表すことができた。
中瀬 吉昭
JAERI-M 89-151, 69 Pages, 1989/10
高分子材料表面の機能化に関する研究のために低エネルギイオン発生装置を試作した。本装置の基本性能、構成、電源系、排気系及び付属装置の概要とともに、試運転結果及び試験照射結果について報告する。本装置の特徴の一例として、Krビーム電源の最大値は、Tiターゲット上で、1.6mA(35kV)が得られた。高分子材料(フィルム)へのKrの試験照射の結果から、照射線量(時間)に対応した着色があり、その吸光度変化と、ビーム電流値(ファラデーカップによる測定)とに相関があることを見出した。これは、吸光度測定法による線量評価の可能性を示唆する。